技术编号：6834492
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种混杂有逻辑电路部和非易失性存储器部的半导体装置的制造方法。背景技术 近几年来，为了实现多功能化及便于调试，逻辑电路部和非易失性存储器部混杂的混载快速存储器(flash memory)引人注目。这种混载快速存储器的逻辑电路部，需要发挥和逻辑电路部单独时的同等的性能。可是，在制造混载快速存储器时，需要在通常的制造逻辑电路部的工序上，增加制造非易失性存储器部的工序，在追加的制造非易失性存储器部的工序的作用下，与单独制造逻辑电路部时相比，其特性要发生...
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