技术编号:6834718
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制造方法,尤其涉及一种。背景技术 闪存储器由浮栅和其上的控制栅组成。在控制栅的作用下,电子穿过栅氧,并截留于浮栅的多晶硅中,达到存储电荷的目的。电子穿过栅氧的机理有两种。一种以高能量的热电子为机理,在源漏的高场能(10V-30V)的作用下,热电子在靠近漏的地方注入浮栅,达到存储电荷的目的。另一种以隧道效应为机理,当栅氧厚度小于10nm,栅氧两侧的电势差可以使电子穿过栅氧,注入浮栅,达到存储电荷的目的。控制栅对沟道的控制是通过和浮栅耦合实...
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