技术编号：6834792
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种发光二极管(Light Emitting Diode；LED)及其制造方法，且特别涉及一种具有可加强散热效果的传导层的。背景技术 近年来，许多的焦点集中在以氮化物为主的半导体所形成的发光组件，例如氮化镓(GaN)、氮化铝镓(AlGaN)、氮化铟镓(InGaN)、以及氮化铝铟镓(AlInGaN)等。此类的发光组件半导体大多生长于不导电的基板上，例如蓝宝石(Sapphire)、氮化镓、或氮化铝等基板，而与其它发光组件采用可导电的基板不同。由于蓝宝...
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