技术编号:6834808
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术 近年来,为了简化布线工艺并提高布线的合格率和可靠性,已将镶嵌方法用作半导体器件的布线技术。此外,为了降低布线电阻,已将铜用作布线材料。例如,为了在半导体衬底上形成多层铜布线,首先在形成于半导体衬底上的层间绝缘膜中形成布线沟槽。然后,填充该布线沟槽以形成铜布线材料层。接着通过化学机械抛光(CMP)平整铜布线材料层,以形成第一铜镶嵌布线层。然后,淀积阻挡/蚀刻停止绝缘层,覆盖第一铜镶嵌布线层。然后在阻挡/蚀刻停止绝缘膜上形成第二层间绝缘膜...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。