技术编号:6835084
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明关于一种半导体制作方法,特别涉及一种硅基超薄闸极氧化层及其成长方法。背景技术自从20世纪80年代以来,金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor,MOS)晶体管的闸极主要由硅材料来制作。然而,随着集成电路元件尺寸不断缩小,对闸极氧化层的质量要求越来越严格,使得关于超薄闸极氧化层制造方法的研究迅速地发展起来。目前,硅基金属氧化物半导体制造方法主要有快速热氧化法(Rapid Thermal Oxidation)、氮掺杂氧化法(N...
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