技术编号：6835173
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及高密度多层微电子集成电路(IC)结构。具体言之，本发明涉及通过提供空气介质来降低每个线路层中导线之间的介电常数。在通孔层中提供多孔永久电介质，以便进一步优化功能器件中该结构的性能。背景技术 一直有强大动力来持续增加IC结构中的特征密度，并降低各特征的尺寸。目前，特征尺寸能够制造成为大约0.5微米或更小，并可通过小于5000埃分开。随着驱动力的持续，必须重复检查组成IC结构的材料和工艺，以便处理与增加接近度相关的问题。增加密度的主要问题是导线之间的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。