技术编号:6835182
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种输出级结构,尤指一种超高耐压的互补型金属氧化物半导体晶体管输出级结构。背景技术 随着工艺技术的演进,金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor,MOS)晶体管的电路也随之朝缩小尺寸、增快速度、减少耗电以及降低电压的方向设计。核心电路随着工艺演进,会使用较低的电压源,以增加电路的性能。例如以0.5μm工艺技术制作核心电路时,其使用的电压源VDD为5.0V,但到了以0.25μm工艺技术来制作核心电路时,其使用的电压源VD...
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