技术编号:6835307
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及到组合有高k栅介质的场效应晶体管(FET)和互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。更确切地说是涉及到具有借助于对较厚的高k介质膜进行回腐蚀或减薄而形成的超薄高k栅介质的FET以及制作这些具有回腐蚀的栅介质的FET的方法。背景技术 场效应晶体管(FET)性能的改进通常受到FET尺寸缩小即所谓按比例缩小的设计方法的影响。当栅介质的尺寸被按比例缩小推向越来越更薄的等效氧化物厚度(EOT)时,高介电常数(高k)金属氧化物和金属硅化物作为侯选栅介质材料...
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