技术编号:6835381
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电气硅熔丝(e-fuse)的使用方法,特别涉及一种以多阶脉冲电压(multi-level pulse voltage)烧断电气硅熔丝的方法。背景技术 随着半导体内存组件集成度的增加,相对地,产品的良率即可能下降。这是由于半导体制造步骤的复杂化以及困难度提高,在工艺步骤或者后段封装过程中难免由于微粒等污染因素的导入使组件产生缺陷。而为了提升良率,现有技艺是以一种称为冗余电路(redundancy circuit)的方法来取得想要的半导体内存组件...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。