技术编号:6835396
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。方法本发明涉及一种半导体器件的制造,尤其涉及一种半导体发光器件有源区的制造。例如,其可以被应用于采用氮化物材料系、例如(Al,Ga,In)N材料系的发光器件的制造。背景技术(Al,Ga,In)N材料系包括具有通式AlxGaxIn1-x-yN的材料,其中0≤x≤1而且0≤y≤1。在这种应用中,具有非零摩尔分数的铝、镓和铟的(Al,Ga,In)N材料系的组分将简称为AlGaInN,具有零摩尔分数的铝但却具有非零摩尔分数的镓和铟的组分将简称为InGaN,具有零摩...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。