技术编号:6835470
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于半导体装置,特别是关于一种互补式场效晶体管(complementary field-effect transistors)及其制造方法。背景技术 金属氧化物半导体场效晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistors;MOSFET)的尺寸缩减,包含栅极长度与栅氧化物的尺寸缩减,促使在过去数十年间集成电路每单位元件的速度、效能、密度及成本的改善。为了更加强化晶体管的效能,可使其沟道区发生应变...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。