技术编号：6835479
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的制造方法及使用相同方法的剥离抗蚀剂的清洗装置。背景技术 通常在半导体器件的制造中，以下面的方式进行栅电极或类似物的精细图形形成抗蚀剂膜形成在提供于半导体衬底上的导电膜上，之后用通过构图抗蚀剂得到的抗蚀剂膜的抗蚀剂图形作为掩模进行干蚀刻，将导电膜构图成预定的尺寸和形状。作为构图之后剥离抗蚀剂的一种技术，进行使用硫酸和过氧化氢的混合溶液的所谓SPM清洗，随后用纯水进行漂洗处理。同样以下面的方式进行该SPM清洗SPM填充在由如石英等的耐酸/...
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