技术编号:6835482
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别是一种低温多晶硅薄膜晶体管的轻掺杂漏极(Lightly Doped Drain,LDD)结构的制作方法及其掺质掺杂注入的方式。背景技术 薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)是液晶显示器中用来控制每个像素(Pixel)亮度的基本电路组件,随着科技的发展,多晶硅结构可在低温环境下利用激光热退火(Laser annealing)的工艺来形成,薄膜晶体管的制造乃由早期的非晶硅结构演进到低温多晶硅(Low Tempera...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。