技术编号:6835829
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。背景技术 1、本发明的领域本发明涉及一种。特别是,本发明涉及一种包括比氧化铟锡(ITO)有更高功函数的透明的导电氧化物制成的透明电极的。2、相关技术的描述当前,透明导电氧化物薄膜广泛地应用在光电子学、显示器和能源工业等领域。特别是,在发光装置领域中,许多国内外的学术、工业和政府研究机构已经积极地投入研究用来促进空穴注入和光发射的透明导体薄膜电极。在透明导电氧化物之中,氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)和氧化铟锡(ITO)都已经被最活跃地研究和开发了。...
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