技术编号：6835975
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体集成电路制造工艺，具体涉及到一种高介电栅的堆层结构(high-k stack)。介电常数远高于SiO2(kox)的栅介质能够实现与SiO2等价且薄的电学厚度(teq)，尤其是高介电栅介质的物理厚度(tphys)大于SiO2(tox)teq＝(tox/k)*tphys用高介电常数材料替代SiO2不是一件简单的事，其材料内部和界面性能必须与SiO2相比拟，并且器件性能有明显的改善。材料的基本特性，如与硅衬底相关的热力学稳定性，微电子加工过程中各...
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