基于碳纳米管的单电子晶体管制备方法技术资料下载

技术编号:6836022

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本发明属于单电子晶体管的研制领域,具体涉及一种基于碳纳米管的单电子晶体管的制备方法。背景技术 单电子晶体管是微电子科学上的一个重要发现,随着传统的MOSFET按照等比例缩小至纳米尺度,单电子器件已引起越来越多的重视,其高速低功耗的突出优点使得它在未来的集成电路中具有相当广泛的应用前景,甚至有可能成为将来分子计算机的理想构建。单电子晶体管的主要结构由两个隧道结包围的库仑岛(量子点)所构成。制备单电子器件的关键在于如何控制库仑岛尺寸或者说电极对之间的间隙尺寸。...
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