技术编号：6836052
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性半导体存储器件及其形成方法。更具体，本发明涉及具有自对准层的非易失性半导体存储器件及其制造方法。背景技术 通常，通过在半导体衬底中形成限定多个有源区的场隔离层制造金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。通常使用浅沟槽隔离(STI)技术形成场隔离层。当使用STI技术时，在半导体衬底上形成沟槽掩模图形。然后在各向异性刻蚀工序中使用沟槽掩模图形作为蚀刻掩模，以在半导体衬底处形成沟槽，然后填充沟槽以形成场隔离层。在形成非易失性存储器的情况下...
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