技术编号:6836080
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,更特别地,涉及这样一种半导体器件的电容器和制造该半导体器件电容器的方法,通过形成Nb基Ta2O5层的介电层,该电容器甚至在低温下也可以使该半导体器件电容器的介电层结晶,并可以提高该半导体器件的性能。背景技术 由于半导体加工工艺的精密化(sophistication),所以半导体集成电路的集成密度和配有这种半导体集成电路的半导体器件的运行速度显著提高。已经对许多方式进行了大量的研究以增加具有电容器的半导体存储器设备(semiconductor...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。