技术编号：6836182
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件制程，特别是涉及一种包含可同时定义氧化间隙物以及用来隔离画素元件的沟渠，藉由此方法可改良此氧化间隙物的外观轮廓，并可避免在进行沟渠蚀刻制程时，发生蚀刻过早终止的问题，因此，可改善条纹效应(fringe effect)并可增进显示器的亮度的硅上液晶(liquid crystal on silicon，LCOS)显示器的间隙物与沟渠的制造方法。背景技术 硅上液晶(liquid crystal on silicon，LCOS)已渐渐成为制...
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