技术编号：6836315
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于基片化学机械抛光/平面化的高选择性含水浆液。本发明的浆液适用于抛光半导体装置的绝缘膜，尤其用于加工半导体基片上的浅沟隔离结构。所述浆液包括水介质、未改性的胶态二氧化硅磨料颗粒以及一种或多种有机化合物，该有机化合物可除去二氧化硅，而选择性地不除去氮化硅。背景技术 化学机械抛光/平面化(CMP)已成为集成电路(IC)制造领域的—种有效方法。该方法使半导体基片的表面平面化，随后铺设电路图。尽管抛光和平面化在此可互换利用，但本领域技术人员理解CMP包...
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