技术编号：6838827
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型有关于一种储存装置，特别有关于一种应用数字随耦器、及其建构而成的数字储存组件；更有关于应用上述数字储存组件建构而成的SRAM内存。现有技术在先进的CMOS制程中，浅沟槽隔离(STI)是一种常用的隔离方法。然而由邻近源极或汲极的电场穿透至通道或是基底的效应是显著的，特别是STI的间隔缩小至小于0.15um。强化并且利用电场穿透效应以形成有用的垂直电阻和场效晶体管(FET)的技术已经揭露。图1A-图1B表示p型垂直电阻。图1B中的p型垂直电阻是由一般...
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