技术编号:6838950
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。背景技术本发明涉及到集成电路器件制作,特别是,但不排它地涉及到为集成电路提供电绝缘结构的技术。浅沟槽绝缘(STI)正成为使具有亚微米临界尺寸元件的集成电路的各个区域电绝缘的一种占优势的技术。一般地,STI包括在集成电路衬底上形成沟槽,然后用电介质材料填充这些沟槽。一种途径是例如像在Dai等人的美国专利No.5691215中所描述的那样,使用低压化学汽相淀积(LPCVD)过程,用原硅酸四乙酯(TEOS)填充这些沟槽。然而,随着为了包括临界尺寸等于或小于0.2...
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