技术编号:6840162
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件及其制造方法,更具体地说,涉及半导体器件中的自对准接触结构及其形成方法。背景技术 随着半导体器件集成度的提高,互连线之间的间隔减小了。随着互连线之间间隔的减小,当采用光刻技术限定接触孔时,可能出现不对准。这些接触孔通常穿透层间绝缘层,层间绝缘层位于设置为彼此平行的互连线之间。为了解决这个不对准问题,近来已经提出了自对准接触技术(SAC)。传统的SAC工艺通常包含在半导体衬底上形成用绝缘层例如氮化硅层覆盖的多个互连线,然后在生成的具有多条...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。