技术编号:6840164
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氮化半导体(InxALyGa1-x-yN,0≤x 0≤y,x+y≤1)器件,包括发光二极管(LED)、激光二极管(LD)或其它电子器件和功率器件。更具体地说,本发明提供了一种防止采用GaN基底的氮化半导体器件的氮化半导体层出现裂纹的方法。背景技术 应用氮化半导体的兰色LED已被提供实际应用。近来,还可提供采用GaN基底的氮化半导体制作的兰色激光二极管。本发明人在一些场合已介绍过采用GaN基底的氮化半导体激光二极管,例如,在《日本应用物理杂志》37...
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