技术编号:6840265
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型是关于一种半导体装置,特别是有关于一种包括一不含氮的介电抗反射结构以及一不含氮的氧化硅层的半导体装置。背景技术一般而言,微影制程是用以在一如硅芯片的半导体基底上方形成一预定的电路图案,或是在制程期间形成预定的电路图案于半导体基底上的特定层上方。典型的微影制程是将一可触发光化学反应的光阻材料涂覆于基底上。之后,实施一软烤(soft baking)步骤以去除光阻材料中的溶剂。接着,对光阻材料实施曝光及显影程序以在基底上方形成具有预定图形尺寸的光阻层。...
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