技术编号:6840637
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于制造具有沟道式电容器的DRAM(动态随机存储器)单元的方法。美国专利US-A-4,797,373中公开了一种DRAM存储器单元和一种用沟道技术制造DRAM存储器单元的方法。在现有的DRAM单元内,其包括场效应晶体管和存储电容器,场效应晶体管和电容器都是在基底内的沟道内制造的。场效应晶体管的源极,通道和漏极,以及一个电容器区域基本上垂直排列在容积基底的侧壁上,栅极和其他电容器区域排列在一种材料的两个区域内,该材料插入沟道内并通过绝缘层与容积...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。