技术编号：6840887
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型是有关于一种半导体组件，且较佳实施例是特别有关于一种应变型沟道(strained channel)互补型场效晶体管(complementaryfield-effect transistor)。背景技术金氧半场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor；MOSFET)的尺寸缩小的方法可包括栅极长度以与栅极氧化物厚度的缩减，其于过去数十年来使得集成电路的速度表现、电路密度以及每单位效能成...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。