技术编号:6841187
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种DRAM单元装置,即具有动态自由选择存取的、位线埋在衬底中的存储单元装置,及用于其制造的一种方法。当今几乎仅采用包括一个晶体管和一个电容器的所谓的单晶体管存储单元作为DRAM单元装置的存储单元。存储单元的信息以电荷形式存储在电容器上。电容器与晶体管连接,使得在经字线控制晶体管时可以经位线读出电容器的电荷。一般谋求生成具有高存储密度的DRAM单元装置。在US 5 497 017中说明了包括单晶体管存储单元的一种DRAM单元装置。每个存储单元的位...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。