技术编号:6841473
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的技术,适用于使用包括元素周期表中第12(2B)族元素和第16(6B)族元素的化合物半导体晶体基片制造诸如LED(发光二极管)或LD(半导体激光器)等。例如,在用ZnSe系的材料制造作为光电变换功能元件的发光二极管的制造方法中,在GaAs基片上用分子束外延生长法形成若干层ZnSe系的混合晶薄膜,继而形成电极制造出pn型发光二极管。制造该种发光二极管时,对于ZnSe系材料,由于在热平衡态下很难控制p型半导体,遂采用被称为原子团粒子束源的特殊装置在非...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。