技术编号:6841521
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶体硅太阳能电池领域,尤其是一种主要利用激光制备单面电极晶体硅太阳能电池的方法。背景技术太阳能作为一种清洁的、没有任何污染的能源,以及太阳能发电作为动力供应主要来源之一的可能性,已日益引起人们关注。而解决这个技术的关键在于太阳能电池生产成本的降低和转化效率的提高。对于占主流地位的晶体硅太阳能电池,由于其正表面电极占了表面积的20%,减少了太阳能电池的受光面积,从而减少了其转化效率。光伏行业的相关技术人员为了提高太阳能电池的转化效率,在传统结构的基...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。