技术编号：6841533
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子，尤其是涉及。背景技术现有的功率器件的杂质的精确分布工艺过程是决定一个器件的参数的高低及均勻性的关键技术。对于掺杂区掺杂时基本使用二种方法硼或者磷等离子注入方法和利用乳胶源或者气态源在高温扩散的方法。对于离子注入方法需要离子注入机，该设备较为昂贵，加工的成本很高，很多制作低档半导体产品的厂家难以承受。对于直接用乳胶源或者气态源在高温扩散的方法来掺入杂质在需要高的硼方块电阻时，由于杂质源的浓度很高，从而精度很差，一般对于200欧姆/方块的方块...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。