技术编号:6841613
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种通常称为MIS半导体器件(也称为绝缘栅半导体器件)的金属(M)一绝缘体(I)一半导体(S)器件。上述的MIS半导体器件包括,例如,MOS晶体管和薄膜晶体管等等。在现有技术中,采用自对准技术,制造MIS半导体器件。按照上述技术,在半导体基片或者半导体膜上面,形成栅电极,而它们之间设置一层栅绝缘膜,利用栅电极作为掩模,把杂质引入半导体基片或半导体膜中。热扩散、离子注入、等离子掺杂和激光掺杂是引入杂质的典型方法。利用自对准技术,基本上可能使掺杂区(...
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