技术编号:6842523
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型有关于一种半导体组件,且特别有关于一种用于集成电路的存储单元布局。背景技术互补式金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor,简称CMOS)技术是今日主要用于制造超大型集成(ultra-large scaleintegrated,简称ULSI)电路的半导体技术,在过去数十年里,半导体结构尺寸的缩小大大地改善了半导体的速度、效能、电路密度与半导体芯片每单位功能的成本(cost per unit f...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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