发光二极管芯片的制作方法技术资料下载

技术编号:6842875

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本实用新型涉及发光二极管芯片,特别涉及具有高出光效率的发光二极管芯片。背景技术氮化镓基发光二极管的发光效率随着外延技术的提升、材料品质的改善而不断得到提升。衡量发光二极管发光效率之一的内量子效率已几乎接近其理论极限,也就是说半导体发光材料在电光转换效率上已远超过其它任何发光光源,为半导体照明奠定了坚实的基础。由于半导体材料与封装用环氧树脂、环氧树脂与空气之间的折射率相差非常大,如对450mm波长而言,氮化镓的折射率为2.45,环氧树脂的折射率为1.4,当光...
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