技术编号:6843225
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使用等离子体在半导体基板的表面上形成绝缘膜的等离子体处理方法以及由此制造的半导体基板,以及用于实施等离子体处理方法的等离子体处理装置。背景技术 至今,在硅基板上形成的绝缘膜多使用通过在1000℃以上的高温下进行氧化处理而形成的热氧化膜。最近,由于精微化技术的进步,需要减少仅仅由热能量而进行Si与O的反应的这种氧化膜(绝缘膜)的厚度。但是,如果采用在高温下进行的热氧化处理而得到绝缘膜的形成方法,随着厚度变薄,漏电流等增大而难于得到可靠性高的绝缘膜。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。