技术编号:6843272
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。和现有技术本发明涉及用于制造电子元件的衬底或结构的领域,并涉及制造所述衬底或结构的方法。还涉及用于在粗糙的层或粗糙的衬底上装配层或衬底的技术。可将其应用到半导体结构,尤其是绝缘体上的硅(SOI)型结构。如附图说明图1所示,所述的结构包括硅层4,在硅层4中适当地确定元件的位置,并在其下面形成掩埋氧化层2。该氧化层构成与杂散电流和通过离子化的颗粒所得到的电荷绝缘。还在同一硅层中形成的相邻元件之间提供了良好的绝缘,尤其是基本减小了所述相邻元件之间的杂散电容。硅层...
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