技术编号:6843283
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关绝缘体上覆半导体(SOI)结构。更具体的,本发明有关1)制备这种结构的方法和2)该结构的新颖形式。至今,最常用于绝缘体上覆半导体结构的半导体材料是硅。该结构在文献中被称为绝缘体上覆硅膜结构,缩写“SOI”已用于这种结构。本发明有关于通常的绝缘体上覆半导体的结构,包括绝缘体上覆硅膜的结构。为了表述方便,以下讨论常常是指绝缘体上覆硅膜结构。提及这种特殊类型的绝缘体上覆半导体结构是为了便于本发明的解释,而不是为了,也不应当解释为,在任何方面对于本发明的...
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