技术编号：6843424
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术 例如在半导体器件的制造工艺的前一道工序中，进行例如在晶片表面形成栅绝缘膜或栅电极膜的成膜处理。这种栅绝缘膜或栅电极膜等的成膜处理在CVD装置或溅射装置等成膜装置中进行，其中，在CVD装置中的处理通常是在减压气氛下向晶片供应气体状态或等离子状态的原料，通过晶片表面的化学催化反应使薄膜沉积在晶片表面上；而溅射装置中的处理则是通过离子冲击使膜材料溅射，从而在晶片表面物理地沉积薄膜。然而在这些成膜装置中对晶片实施成膜处理之前进行清洗处理以除去...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。