技术编号：6843485
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种双道金属镶嵌半导体的制造过程，尤关于一种半导体制造过程中用以平坦化各特征与各层的方法与系统。背景技术 双道金属镶嵌制造过程在半导体制造中越来越普遍。在典型的双道金属镶嵌制造过程中，将一种或多种导电材料沉积于形成在半导体衬底中或形成在半导体衬底上的薄膜之中的预先已图案化的渠沟与孔内，以便形成所需的电路互连结构。通常形成有导电材料的过量或过度沉积部分。导电材料的过度沉积部分为多余且不想要的，故必须加以去除，以便产生金属镶嵌特征且提供后续工艺所需的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。