技术编号：6843616
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在结晶层之上叠层III族元素的氮化物膜而形成的叠层体、其制备方法及利用该叠层体的半导体元件。大致有两种方法可使该栅极绝缘膜的电容值升高。其一为将栅极绝缘膜薄膜化；其二为用介电常数更高的材料构成栅极绝缘膜。换句话说，薄膜化和高介电常数化是两个使栅极绝缘膜高性能化的有效途径。人们在以更高的精度热氧化Si衬底以实现栅极绝缘膜的薄膜化上做了很多尝试。通过热氧化Si衬底以形成二氧化硅(SiO2)绝缘膜之法，具有以下优点易形成氧化膜；当该氧化膜作栅极绝缘膜时...
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