技术编号:6843688
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于制造垂直半导体元件的方法,该元件具有半导体本体,该半导体本体具有内部区域、至少一个存在于该内部区域内的pn结和布置在该内部区域和边缘之间的边缘区域。在垂直方向上、也就是与半导体本体的正面和反面垂直地施加适当电压的情况下电流流过这种元件。这种具有内部区域和邻接该内部区域的边缘区域的垂直半导体元件例如在US 6,351,024 B1中有所介绍,其中该内部区域具有pn结。背景技术 在断开这种半导体元件时,也就是在施加阻断pn结的电压时,正如下面...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。