技术编号：6843958
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种应用在电子学、光电子或光学领域的同时生产至少两个结构的方法，其中每个结构包括至少一个转移到衬底的有用层。依据现有技术的情形，可以知道几种层转移的方法。其中的一种方法包括在源衬底表面下注入原子种类(atomicspecies)，从而产生划定薄层界限的弱化区。下一步是将该薄层的自由面与支持衬底接触，然后从源衬底的剩余物中分离所述的薄层并将其转移到所述支持衬底。对于该方法描述，可以参考与所知道的注册商标″智能切割(smart cut)″的方法有关的...
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