技术编号:6844071
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,以及更具体的涉及一种亚100nm位线结构及相关的制造方法,其可用于源极线和漏极线的相应选择驱动的非易失性SNOR存储电路中。在获得存储电路的过程中,基本上是在存储器结构方面产生差别,所谓的NAND和NOR结构是最普遍的代表。在两种结构中,例如所谓的单晶体管存储单元以矩阵型方式排列并通过所谓的字线和位线被驱动。虽然在NAND结构中多个开关元件或存储元件互相串联并通过共用选择栅或选择晶体管被驱动,但是NOR结构中的各个开关元件是以平行或矩阵型方...
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