技术编号:6844074
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种依照权利要求1的前序的沟槽存储电容器及其的制造方法。背景技术 在具有存储电容器和选择晶体管的存储单元中,例如在DRAM的情形中,由半导体主体的掺杂半导体材料制成的掩埋板作为DT(DT=深沟槽)的下沟槽区域中的底部电极,而作为环状(collar)部分的上沟槽区域设置有绝缘层,且在这里与存储电容器电隔离,具体地说也就是掩埋板与选择晶体管电隔离。其结果是环状部分的整个区域不能用作电容器区域。举例来说,如果在DT的总深度大约为8μm的情形中,在存储电...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。