技术编号:6844112
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的制造领域。更具体地说,本发明涉及双极晶体管的制造。背景技术 由于现代电子设备速度提高而其尺寸和价格不断下降,半导体制造商面临着为这些设备提供低成本、高速度及小尺寸的晶体管的挑战。为了应对该挑战,半导体制造商必须精确地控制在半导体晶片上决定性地影响晶体管性能的特定特征的尺寸,例如双极晶体管的发射极宽度。此外,必须适当地对准双极晶体管的各部分,以确保双极晶体管满足性能要求。例如,必须适当地对准异质结双极晶体管(HBT)中的发射极及非本征基...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。