技术编号：6844200
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于半导体器件例如绝缘栅场效应功率晶体管(通常称作“MOSFET”)、绝缘栅双极晶体管(通常称作“IGBT”)、或肖特基整流器的场终止(field termination)结构及其制造方法。背景技术 半导体器件一般包括含有有源区的半导体本体，所述有源区其中具有有源结构阵列。本发明涉及在有源区具有沟槽电极结构的器件。为了避免在有源区周界处器件的过早击穿，通常必须包括围绕有源区的场终止结构，以避免产生过高的电场。本领域中公知的几种场终止结构例如为浮动...
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