技术编号:6844205
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于制造NROM半导体存储器件的方法并涉及一种相应的NROM半导体存储器件。背景技术 NROM半导体存储器件(NROM=氮化物只读存储器)使用ONO(氧化物-氮化物-氧化物)栅极介质的固有物理性质和公知的编程、读取和擦除机制来提供具有两位每单元的存储单元。因此NROM半导体存储器件中的存储密度是传统EEPROM半导体存储器件的两倍。图4示出了公知的NROM半导体存储器件。在图4中,参考符号1表示p-型半导体衬底,参考符号S表示n+型源极区,参...
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