技术编号：6844228
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及含铝薄膜的形成。更具体地说，本发明涉及用于形成含铝薄膜的化学前体。背景技术 氧化铝薄膜具有良好的电绝缘性质和高的介电常数，它们使这些薄膜在集成电路设计中作为薄层材料具有极大好处。例如，含氧化铝的薄膜在用于微处理机和存储元件的晶体管和电容制造中起重要作用。此外，随着集成电路元件定标尺寸不断降到纳米级，这些薄膜可能在MOSFET晶体管和DRAM元件的电容结构物中形成未来门绝缘层的介电薄膜起关键作用。特别是，半导体技术的最新进展表明含氧化铝的薄膜在某些...
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