技术编号:6844245
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,详细地说,涉及剥离活性层衬底的一部分而形成的活性层、特别是该活性层薄膜的厚度薄至0.2μm以下也不会产生活性层的剥离并在其整个表面具有均匀的厚度的。背景技术 贴合半导体衬底由于贴合支撑衬底和具有与之不同性质的活性层衬底,并使之具有与单一支撑衬底不同的性质,因此特别是在半导体领域被广泛研究(非专利文献1)。作为贴合衬底的代表有SOI(SiliconOn Insulator)衬底。在SOI衬底中,作为其支撑衬底一般使用硅的抛光晶片(PW)。另一方面...
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