技术编号：6844248
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种双栅极构造、三栅极构造这样的，作为晶体管发挥功能的存在有多个结晶面的。背景技术 近年来，为了能够强化穿通耐性，形成短沟道的晶体管，提出了双栅极构造或三栅极构造的半导体装置。采用在硅基板表面形成凹凸，在其侧面、上面形成栅极绝缘膜与栅电极，将其侧面的、或侧面与上面的硅基板表面作为晶体管的沟道的这种构造。在将两个侧面作为沟道的情况下，称作双栅极构造，在将两个侧面与上面作为沟道的情况下，称作三栅极构造。但是，并不限于双栅极构造或三栅极构造，即使是单栅...
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